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低場核磁法用于gap固化與溶脹性研究
點擊次數(shù):687 更新時間:2023-01-29

低場核磁法用于gap固化與溶脹性研究

溶脹是指溶劑分子擴散進入高分子內(nèi)部,使其體積膨脹的現(xiàn)象。溶脹行為是高分子材料的一項重要參數(shù),高分子材料的平衡溶脹率會影響到材料中物質(zhì)的擴散系數(shù),表面潤濕性和機械強度等。很多研宄將溶脹特性作為一個設(shè)計參數(shù)來制備具有特殊應(yīng)用的智能材料。

溶脹是高分子材料*的現(xiàn)象,其原因在于溶劑分子與高分子尺寸相差懸殊,分子運動速度相差很大,溶劑分子擴散速度較快,而高分子向溶劑中的擴散緩慢。因此,高分子溶解時首先是溶劑分子滲透進入高分子材料內(nèi)部,使其體積增大,即溶脹。隨著溶劑分子的不斷滲入,溶脹的高分子材料體積不斷增大,大分子鏈段運動增強,再通過鏈段的協(xié)調(diào)運動而達到整個大分子鏈的運動,大分子逐漸進入溶液中,形成熱力學(xué)穩(wěn)定的均相體系,即溶解階段,如下圖所示。

 低場核磁法用于gap固化與溶脹性研究

溶脹有兩種:

無限溶脹:線形聚合物溶于良好的溶劑中,能無限制吸收溶劑,直到溶解成均相溶液為止。所以溶解也可看成是聚合物無限溶脹的結(jié)果。例:天然橡膠在汽油中;PS在苯中。

有限溶脹:對于交聯(lián)聚合物以及在不良溶劑中的線形聚合物來講,溶脹只能進行到一定程度為止,以后無論與溶劑接觸多久,吸入溶劑的量不再增加,而達到平衡,體系始終保持兩相狀態(tài)。

低場核磁法用于gap固化與溶脹性研究:

低場核磁共振設(shè)備主要是檢測樣品中的H質(zhì)子。將樣品放入磁場中之后,通過發(fā)射一定頻率的射頻脈沖,使H質(zhì)子發(fā)生共振,H質(zhì)子吸收射頻脈沖能量。當射頻脈沖結(jié)束之后,H質(zhì)子會將所吸收的射頻能量釋放出來,通過的線圈就可以檢測到H質(zhì)子釋放能量的過程,這也就是核磁共振信號。對于性質(zhì)不同的樣品,其能量釋放的快慢是不同的,通過這些信號差別就可以尋找規(guī)律,研究樣品內(nèi)部性質(zhì)。

低場核磁法用于gap固化與溶脹性研究

低場核磁共振(LF-NMR)在研究基于水遷移率的聚合物網(wǎng)絡(luò)的水傳輸和微觀結(jié)構(gòu)方面具有巨大潛力。與高分辨率核磁共振不同,低場核磁共振(LF-NMR)主要用于通過測量弛豫時間來闡明反映結(jié)構(gòu)異質(zhì)性和相互作用的分子遷移率。研究表明,低場核磁共振(LF-NMR)是一種快速、無創(chuàng)、無損的測定水組分分布的方法。

低場核磁法用于gap固化與溶脹性研究

紐邁PQ001系列低場核磁共振分析儀


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